在半导体制造技术中，通过光刻、蚀刻、沉积、离子注入、研磨、清洗等一系列工艺形成具有各种功能的半导体芯片。然后封装半导体芯片并测试其电性能，最后形成最终产品。目前，半导体芯片制造过程中产生了大量的工业废水。
一种芯片生产废水处理工艺，包括以下操作步骤
第一步：当废水的酸碱度为4-6时，用孔径为0.3-0.5的片状石灰钙固定块作为吸附质的载体，在片状石灰钙固定块上覆盖固定网；
第二步：向池中加入中和剂和混凝剂，再次测试，如果PH值达到4，将辅助混凝剂引入池中，再引入凝聚效应器，凝聚后以厌氧状态输出；
第三步：进行快速混凝反应，加入辅助混凝剂，静置2小时；
第四步：将废水喷入蒸发器进行蒸发处理，废水全部脱水成气态，蒸发时间为12-16小时，蒸发温度为180-220℃；
第五步：引入蒸发器的废水浓度为允许的上限PH值4，一旦停止，废水继续投入；
第六步：将废气引入冷凝塔，喷洒雾状中和剂，中和剂的温度为10~12℃；
第七步：冷凝完成，剩余废气进入等离子体反应器进行电离处理；
第八步：将从冷凝塔提取的反应水引入最终反应池，并引入废水处理剂，所述废水处理剂包括净水剂聚合氯化铝共聚物和芬顿试剂；基于废水处理剂的总重量，聚合氯化铝共聚物的含量为50-70wt%
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